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西電英才
郝 躍 教授

個人簡歷  中國科學院院士,微電子學專家,微電子學與固體電子學博士生導師。安徽省阜陽人,1958年3月生于重慶市,1982年畢業于西安電子科技大學半導體物理與器件專業,1991年在西安交通大學計算數學專業獲博士學位。九三學社第十四屆中央委員會常委和九三學社陜西省委主委、中國電子學會副理事長、國際IEEE學會高級會員。

郝躍院士是國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)“核心電子器件、高端通用芯片和基礎軟件產品”科技重大專項實施專家組組長,國務院第七屆學科評議組(電子科學與技術一級學科)召集人,國家自然科學基金委員會信息科學部主任,高等院校電子信息類專業教學指導委員會主任委,教育部科技委委員,國家重大基礎研究計劃(973計劃)項目首席科學家,陜西省科學技術協會副主席,微電子技術領域的著名專家。他是第九、第十、第十三屆全國政協委員和第十一屆全國人大代表。2013年11月當選中國科學院院士。

郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。

主要研究方向  1.寬禁帶和超寬禁帶半導體材料與器件   2.微納半導體新器件及其可靠性

                 3.SoC設計與設計方法學

教學與科研成果  成果獲得國家技術發明獎二等1項(2009年),國家科技進步獎二等2項(2008年、2015年),國家科技進步獎三等1項(1998年);國家級教學成果一等獎1項(2018年)和國家級教學成果二等獎1項(2014年);獲得國家發明專利授權近百項;出版《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》、《碳化硅寬帶隙半導體技術》、《集成電路制造動力學理論與方法》和《微納米CMOS器件可靠性與失效機理》、《NITRIDE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICES》等多部著作,在國內外著名期刊上發表學術論文500余篇;2010年榮獲“何梁何利”科學技術獎。

校內單位:微電子學院                     辦公地點:北校區東大樓二層

辦公電話:029-88202207                  E-mail:yhao@xidian.edu.cn

教師主頁:https://faculty.xidian.edu.cn/HY2/zh_CN/index.htm

人物訪談:http://www.iuqtmay.xyz/info/1119/3723.htm


 

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